CSM (for mTouch)是利用MCU對key-pad上的雜散電容做充放電,然後在依固定時間中去做充放電次數的判斷來看是否有KEY被按,當人按KEY時,電容值變大(並聯),充放電次數就減少
之前一直以為Vcc的大小會影響充放電(這是對的),當Vcc較大時,充放電次數會較小,(因為要充到較高的VIH,時間久),反之較大.
不過實際上的測量卻剛好相反,數據如下
PIC16F723 SS ,@8ms TIMER2,key-pad 1x1cm,壓克力厚度約4mm
之前一直以為Vcc的大小會影響充放電(這是對的),當Vcc較大時,充放電次數會較小,(因為要充到較高的VIH,時間久),反之較大.
不過實際上的測量卻剛好相反,數據如下
PIC16F723 SS ,@8ms TIMER2,key-pad 1x1cm,壓克力厚度約4mm
