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CSM (for mTouch)是利用MCU對key-pad上的雜散電容做充放電,然後在依固定時間中去做充放電次數的判斷來看是否有KEY被按,當人按KEY時,電容值變大（並聯）,充放電次數就減少

之前一直以為Vcc的大小會影響充放電(這是對的),當Vcc較大時,充放電次數會較小,(因為要充到較高的VIH,時間久),反之較大.
不過實際上的測量卻剛好相反,數據如下

PIC16F723 SS ,@8ms TIMER2,key-pad 1x1cm,壓克力厚度約4mm

                  未壓KEY時Counter             壓KEY時Counter            變動
Vcc=5               4524                                   4368                 3.57%
Vcc=3.3v           4437                                   4267                3.98%

而在EDF09上亦是相同結果,（demo code)
輕壓LOG
                 未壓KEY時Counter              壓KEY時Counter            變動
Vcc=5                 344                                    145                  137.24%
Vcc=3.3v             336                                    136                  147.05%......變動這麼大事因為無壓克力隔著!!